Cypress F-RAM oferă 100 trilioane (1014) de cicluri de citire/scriere. EEPROM-urile au, de obicei, o anduranță mai mică de 1 milion (106) de cicluri.
F-RAM este cu mult superior EEPROM, atât în ceea ce privește viteza de scriere cât și consumul de putere. F-RAM scrie datele la viteză maximă, de până la 40MHz pentru SPI, fără întârzieri în scriere, iar datele sunt nonvolatile instantaneu. EEPROM are, de obicei, o întârziere de 5ms înainte ca datele să devină nonvolatile.
În cazul unui SPI EEPROM în serie de 64Kb, cu o frecvență de 20 MHz, ar dura 5 ms pentru a scrie 256 bits (tampon pagină de 32 bites) și 1283.6 ms pentru a scrie toți cei 64 Kb. Cu un F-RAM echivalent, durează numai 14 µs pentru 256 biți și doar 3.25 ms pentru a scrie toți cei 64Kb. În plus, scrierea a 64Kb în EEPROM necesită 3900 µJ, scrierea 64Kb în F-RAM necesită doar 17 µJ – o diferență de peste 229 de ori.
F-RAM-urile în serie sunt compatibile din punct de vedere al pinilor cu EEPROM-urile în serie.
Pentru mai multe informații privind produsele Cypress, vă invităm să ne contactați la info@soselectronic.com
Materiale video
The world´s most energy-efficient serial nonvolatile RAM with fast write speed and high endurance. Cypress is the trusted leader for instant data capture and protection.
Do not miss these articles
Vă plac articolele noastre? Dacă da, atunci nu ratați nici unul! Nu trebuie să vă faceți griji în privința modului de livrare. Ne vom ocupa noi de tot pentru dvs.
