Imaginea este cu titlu informativ. Vă rugăm să consultaţi specificaţiile tehnice în secţiunea, detalii produs.

VNS1NV04DPTR-E | STMICROELECTRONICS

Tranzistor MOSFET OMNIFET II N 1,7A/40V SO8
Comanda nr.: 142309
Cantitate minimă de comandă: 1 buc.
Cantitati comandabile permise: 1 buc. (1, 2, 3 ... buc.)
Categorie: Tranzistoare de putere cu efect de câmp
Informatii despre produs: La cerere
Producător: STMICROELECTRONICS
Preturile sunt fara TVA. Preţurile pentru componentele care nu se află în stoc, sunt orientative. Vă garantăm preţurile numai pentru produsele care sunt în stoc.
Comandă: buc. -
  • ADAUGĂ LA COȘ
  • Obține oferta
  • Adaugǎ la secţiunea favorite
  • Adăugați la watchdog
  • Adăugați articole pentru a compara

VNS1NV04DPTR-E
Tranzistor MOSFET OMNIFET II N 1,7A/40V SO8

Imaginea este cu titlu informativ. Vă rugăm să consultaţi specificaţiile tehnice în secţiunea, detalii produs.

Comanda nr.: 142309
Cantitate minimă de comandă: 1 buc.
Cantitati comandabile permise: 1 buc. (1, 2, 3 ... buc.)
Categorie: Tranzistoare de putere cu efect de câmp
Informatii despre produs: La cerere
Producător: STMICROELECTRONICS

Preturile sunt fara TVA. Preţurile pentru componentele care nu se află în stoc, sunt orientative. Vă garantăm preţurile numai pentru produsele care sunt în stoc.

Comandă: buc. -
  • ADAUGĂ LA COȘ
  • Obține oferta
  • Adaugǎ la secţiunea favorite
  • Adăugați la watchdog
  • Adăugați articole pentru a compara

Parametrii tehnici

Producător STMICROELECTRONICS
Tip Power
Polarity MOSFET N
Power 4 W
Case SO8
Mounting Type SMD
Drain-Source Breakdown Voltage 40 V
Gate-Source Breakdown Voltage - V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm / 0,5A / 5V
Continuous Drain Current 1,7A
On/Off Time (Max) 200ns/1000ns
On Resistance Max. 500 mOhm
Operating Voltage 40 V
Curent de ieșire 1,7 A
RoHS Da

Documente pentru download

Fişă tehnică produs:
Cookie-urile ne ajută să vă furnizăm servicii. Utilizând serviciile noastre, sunteţi de acord cu utilizarea cookie-urilor.
OK Mai multe informaţii